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Magister

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EFFET DU CONFINEMENT QUANTIQUE SUR LES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DU COMPOSE GaN NANOSTRUCTURE

Titre
Physique des Matériaux

SPECIALITE

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EFFET DU CONFINEMENT QUANTIQUE SUR LES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DU COMPOSE GaN NANOSTRUCTURE

Sommaire:

Introduction générale CHAPITRE 1: GENERALITES SUR LES NANOCRISTAUX 1.1. Introduction 1.2 .Définition d’un quantum dot 1.2.1. Confinement quantique 1.2.2. Structure cristalline des nanocristaux 1.2.3. Propriétés optiques des QDs 1.2.4. Propriétés électriques des QDs 1.3. Méthode de synthèse des nanocristaux 1.3.1. Synthèse par voie aqueuse à température ambiante 1.3.2. Synthèse par voie non-aqueuse à haute température 1.3.3. Synthèse en solvant coordinant 1.3.4. Synthèse en solvant non-coordinant 1.4. Conclusion Références bibliographiques CHAPITRE 2: PROPRIETES GENERALES DU GaN A L’ETAT MASSIF 2.1. Introduction 2.2. Le nitrure de gallium GaN 2.2.1. Structure cristalline du GaN 2.2.2. Propriétés électroniques 2.2.2.1. Structure de bandes 2.2.2.2. levées de dégénérescence de la bande de valence au point à 2.2.2.3. Masses effectives des porteurs 2.2.2.4. Mobilité 2.2.2.5. Polarisation spontanée 2.2.2.6. Piézoélectricité du GaN 2.2.3. Propriétés optiques 2.2.4. Propriétés mécaniques du GaN 2.2.5. Propriété thermique du GaN 2.2.5.1. Dilatation thermique 2.2.5.2. Chaleur spécifique 2.2.5.3. Température de Debye 2.2.5.4 Conductivité thermique 2.3. Conclusion Références bibliographiques CHAPITRE 3: METHODE DU PSEUDOPOTENTIEL 3.1. Introduction 3.2. Concept du pseudopotentiel 3.3. les modèles du pseudopotentiel 3.3.1. Méthode du pseudopotentiel local 3.3.2.Méthode du pseudopotentiel non-local 3.3.2.1.Les Modèles du pseudopotentiel non local 3.3.2.1.1. Modèle d’Aschcroft 3.3.2.1.2. Modèle de Heine-Abarenkov 3.3.2.1.3. Modèle de Gauss 3.4. L’ajustement des facteurs de forme 3.5. Conclusion Références bibliographiques CHAPITRE 4: RESULTATS ET DISCUSSIONS 4.1. Introduction 4.2. Propriétés optoélectroniques 4.2.1. Structure des bandes d’énergie 4.2.2. Gaps d’énergie 4.2.3. Largeur de la bande de valence 4.2.4. Masses effectives des porteurs 4.2.5. Gap antisymétrique 4.2.6. Facteur d’ionicité 4.2.7. Indice de réfraction 4.2.8. Constantes diélectriques 4.2.9. Charge effective transverse 4.3. Conclusion Références bibliographiques Conclusion générale

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