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Le niveau

Master

Titre

Optimisation des performances électriques d’une cellule en couche mince de type chalcopyrite

SPECIALITE

Electronique des Systèmes Embarqués

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Optimisation des performances électriques d'une cellule en couche mince de type chalcopyrite


Sommaire:

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Introduction générale
Chapitre 1: Cellules solaires en couches minces
I.1. Introduction
I.2. Les principales sources d’énergie renouvelables
1.2.1. L’énergie solaire
I.2.1.1 Caractéristiques du rayonnement solaire sur Terre
I.2.2. Énergie éolienne
I.2.3. Centrales hydrauliques
I.2.4. Biomasse
1.3. Les cellules solaires
I.3.1. Historique des cellules photovoltaïque.
I.3.2. Effet photovoltaïque.
I.3.2. 1.Interaction photon/semi-conducteur
I.3.3. Définition d’une cellule photovoltaïque
I.3.4. Principe de fonctionnement des cellules photovoltaïques
I.3.5. Structure de la cellule solaire
I.3.6. Caractérisation physique des cellules photovoltaïques 1.3.6.1. Caractéristique courant/tension et schéma équivalant.
I.3.6.1.1. Schéma équivalent
I.4. Les technologies des cellules solaires
I.4.1. Les cellules photovoltaïques inorganiques
I.4.2. La filière silicium
I.4.2.1. Cellules au silicium monocristallin
I.4.2.2. Cellules au silicium poly-cristallin
I.4.2.3. Silicium en ruban autosupporté
I.4.2.4. Silicium amorphe
I.5. Cellule à base de Chalcopyrite
Références bibliographiques
Chapitre 2: Etude des caractéristiques des cellules en couches minces: CIGS
II.1. Introduction
II.2.1 Avantage de la couche mince
II.2.2 Inconvénients
II.3. Les technologies de la couche mince à base du CIGS
II.4. Développement technologique des cellules solaires à base de Cu(In, Ga)Se2
II.4.1. Effet de l’introduction du gallium
II.4.2. Influence du sodium
II.5. Propriétés du CIGS
II.6. Notions de gap graduel du CIGS
II.7. Effet du gap graduel sur les propriétés des cellules CIGS
Références bibliographiques
Chapitre 3: Simulation et Résultat
III.1. Introduction
III.2. Présentation de la cellule étudiée
III.3. Résultats de simulation
III.3.1. Caractéristiques J (V) sous obscurité et en présence de lalumière
III.3.2. Effet de La température
III.3.3. Effet de l’intensité de la lumière
III.3.4. L’effet de l’épaisseur de la couche absorbante
III.3.5. Effet de l’épaisseur de la couche i-ZnO
III.3.6. L’effet du dopage
III.3.7 L’effet du dopage de la couche CdS
III.3.8 Effet de la concentration des défauts (accepteurs)
Références bibliographiques
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