Contribution à L’étude des propriétés structurales et électronique du ternaire In1-Ga,N par la méthode (FP-LMTO)
Des informations générales:
Le niveau |
Master |
Titre |
Contribution à L’étude des propriétés structurales et électronique du ternaire In1-Ga,N par la méthode (FP-LMTO) |
SPECIALITE |
Physique Energétique et Energies Renouvelables |
Page de garde:
Sommaire:
Introduction
Chapitre I: Méthode de calcul
I. Méthode de calcul:
I.1. Equation de Schrödinger à un électron – Hamiltonien exact du cristal
1.2. Approximation de Born-Oppenheimer :
1.3. Approximation de Hartree
1.4. Approximation de Hartree-Fock:.
1.4.1. Energie d’échange
1.5. Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT):
1.5.1. Théorèmes de Hohenberg et Kohn :
1.5.2. Equations de Kohn et Sham :.
1.5.3. Les systèmes à spin polarisé.
1.6. L’approximation de la densité locale (LDA).
I.7. Approximation de Hedin et Lunqdvsit :
1.8. Approximation de Ceperley etAlder.
I.9. Approximation de S.H. Vosko et L. Wilk:
I.10. La self-consistance dans le calcul de la DFT :.
I.11. Introduction à la méthode FP-LMTO:
I.11.1. Introduction :.
I.11.2 Augmentation dans la méthode
I.11.3. Calcul de la densité de charge
I.11.4. Avantages et inconvénients de la méthode LMTO.
I.12. La méthode du cristal virtuel (VCA):
Chapitre II: Description et propriétés des constituants des composes InN, GaN
Introduction
II.1.Propriétés des matériaux binaires InN, GaN
II.1.1.Propriétés des matériaux binaires GaN
II.1.2.Propriétés structurales
II.2. Propriétés des matériaux binaires InN
II.2.1.Propriétés des matériaux binaires GaN
II.2.1.1.Propriétés structurales
II.2.1.2. Propriétés électroniques
II.2.1.3. Propriétés chimiques
II.2.1.4. Propriétés thermiques
II.2.2. Propriétés du matériau binaire InN
II.3.Propriétés de l’alliage ternaire In1-GaxN :.
II.3.1.Propriétés structurales :
II.4.Le gap des semi-conducteurs
Chapitre III :Les propriétés structurales et électroniques de GaN et InN
Introduction
III.1. Propriétés structurales.
III.1.1. Nitrure de germanium GaN
III.1.2. Nitrure d’indium InN
III.2. Propriétés électroniques
III.2.1. Structures de bandes GaN
III.2.2. Structures de bandes InN
ChapitreIV: Etude des propriétés structurales et électroniques de l’alliage In1-Ga、N
Introduction
IV.1.Constante du réseau de l’alliage ternaire.
IV.2. Propriétés structurales et électroniques de l’alliage In1-xGa、N
IV.2.1. Etudes structurales
IV.2.2. Propriétés électroniques.
Chapitre I: Méthode de calcul
I. Méthode de calcul:
I.1. Equation de Schrödinger à un électron – Hamiltonien exact du cristal
1.2. Approximation de Born-Oppenheimer :
1.3. Approximation de Hartree
1.4. Approximation de Hartree-Fock:.
1.4.1. Energie d’échange
1.5. Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT):
1.5.1. Théorèmes de Hohenberg et Kohn :
1.5.2. Equations de Kohn et Sham :.
1.5.3. Les systèmes à spin polarisé.
1.6. L’approximation de la densité locale (LDA).
I.7. Approximation de Hedin et Lunqdvsit :
1.8. Approximation de Ceperley etAlder.
I.9. Approximation de S.H. Vosko et L. Wilk:
I.10. La self-consistance dans le calcul de la DFT :.
I.11. Introduction à la méthode FP-LMTO:
I.11.1. Introduction :.
I.11.2 Augmentation dans la méthode
I.11.3. Calcul de la densité de charge
I.11.4. Avantages et inconvénients de la méthode LMTO.
I.12. La méthode du cristal virtuel (VCA):
Chapitre II: Description et propriétés des constituants des composes InN, GaN
Introduction
II.1.Propriétés des matériaux binaires InN, GaN
II.1.1.Propriétés des matériaux binaires GaN
II.1.2.Propriétés structurales
II.2. Propriétés des matériaux binaires InN
II.2.1.Propriétés des matériaux binaires GaN
II.2.1.1.Propriétés structurales
II.2.1.2. Propriétés électroniques
II.2.1.3. Propriétés chimiques
II.2.1.4. Propriétés thermiques
II.2.2. Propriétés du matériau binaire InN
II.3.Propriétés de l’alliage ternaire In1-GaxN :.
II.3.1.Propriétés structurales :
II.4.Le gap des semi-conducteurs
Chapitre III :Les propriétés structurales et électroniques de GaN et InN
Introduction
III.1. Propriétés structurales.
III.1.1. Nitrure de germanium GaN
III.1.2. Nitrure d’indium InN
III.2. Propriétés électroniques
III.2.1. Structures de bandes GaN
III.2.2. Structures de bandes InN
ChapitreIV: Etude des propriétés structurales et électroniques de l’alliage In1-Ga、N
Introduction
IV.1.Constante du réseau de l’alliage ternaire.
IV.2. Propriétés structurales et électroniques de l’alliage In1-xGa、N
IV.2.1. Etudes structurales
IV.2.2. Propriétés électroniques.
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