Simulation des performances électriques HEMT Base InAIN/GaN dans la bande Ku-Vsat
Des informations générales:
Le niveau |
Master |
Titre |
Simulation des performances électriques HEMT Base InAIN/GaN dans la bande Ku-Vsat |
SPECIALITE |
Système de Télécommunication |
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Sommaire:
Introduction générale
Chapitre I: Matériaux semi-conducteur à base de GAN
I.1 Introduction
1.2 Matériaux binaires nitruré
1.2.1 Propriétés Structurales du matériau GaN.
1.2.2 Propriété électrique du GaN
1.2.2.1 Largeur bande interdite
1.2.2.2 Constante diélectrique
1.2.2.3 Polarisation spontanée. 1.2.3 Propriété thermique du GaN.
1.2.3.1 Conductivité thermique. 1.2.3.2 Chaleur spécifique
1.2.3.3 Dilatation thermique
1.2.3.4 Température de debye.
1.2.4 Propriétés optiques
1.3 Propriétés générales du nitrure d’indium
1.3.1 Propriétés structurales
1.3.2 Propriétés électroniques.
1.3.2.1 Structure des bandes d’énergie
I.3.2.2 Masses effectives
1.3.2.3 Propriétés optiques Dans les InN.
1.4 Conclusion
Chapitre II transistor a haut mobilité d’électron
II.1 Introduction
II.2 Etude d’une hétérojonction
II.2.1 Introduction
II.2.2 Diagramme de bande d’une hétérojonction
II.3 Formation et expression du 2-DEG
II.4 Principe du transistor HEMT.
ii.5 Caractéristiques électriques HEMT
1.5.1 Caractéristiques statiques.
II.5.2 La Transconductance
II.5.3 La fréquence de transition d’un HEMT
II.5.4 Fréquence de coupure et fréquence maximale d’oscillation
II.5.5 Bruit généralités.
II.5.5.1 Origines du bruit
II.5.5.2 Les bruits en excès.
11.5.6 Facteur de bruit
II.5.6.1 Température de bruit.
II.5.6.2 Bruit d’un système.
II.5.6.3 Principe des mesures.
II.5.6.4 Définition de l’ENR
II.5.7 Fonctionnement en puissance II.5.7.1 La puissance de sortie
11.6 Le schéma équivalent petit signal
II.6.1 La transconductance
11.6.2 La conductance de sortie
11.6.3 La capacité grille- source.
II.6.4 La capacité grille-drain
11.6.5 La capacité entre le drain et la source
II.6.6 Les résistances Ri et Rgd
11.7 Conclusion
Chapitre III: Résultats et discussion de simulation HEMT-LNA
III.1 Introduction
III.2 TCAD-SILVACO.
III.2.1 Principes et conditions d’utilisation
III.2.2 ATHENA TCAD-SILVACO.
III.2.3 ATLAS TCAD-SILVACO
III.2.4 DECKBUILD.
III.2.5 TONYPLOT
III.3 HEMT à base de GaN étudiés
III.3.1 Structures des HEMT.
III.4 Résultats et discussion
III.4.1 Performances de DC
III.4.1.1 Caractéristique de transfert IDS-VGS
III.4.1.2 Caractéristique de sortie IDS-VDS
III.4.1.3 Caractéristique de transconductance gm-VGS
III.4.2 Caractéristiques AC
III.4.2.1 Capacités en fonction de tension.
III.4.2.2 Capacités en fonction de fréquence
III.4.3 Caractéristiques du bruit.
III.4.4 Caractéristique HEMT-LNA en bande Ku.
III.5 Conclusion
Chapitre 1
Chapitre 2
Chapitre 3.
Conclusion générale.
Références
VII
Chapitre I: Matériaux semi-conducteur à base de GAN
I.1 Introduction
1.2 Matériaux binaires nitruré
1.2.1 Propriétés Structurales du matériau GaN.
1.2.2 Propriété électrique du GaN
1.2.2.1 Largeur bande interdite
1.2.2.2 Constante diélectrique
1.2.2.3 Polarisation spontanée. 1.2.3 Propriété thermique du GaN.
1.2.3.1 Conductivité thermique. 1.2.3.2 Chaleur spécifique
1.2.3.3 Dilatation thermique
1.2.3.4 Température de debye.
1.2.4 Propriétés optiques
1.3 Propriétés générales du nitrure d’indium
1.3.1 Propriétés structurales
1.3.2 Propriétés électroniques.
1.3.2.1 Structure des bandes d’énergie
I.3.2.2 Masses effectives
1.3.2.3 Propriétés optiques Dans les InN.
1.4 Conclusion
Chapitre II transistor a haut mobilité d’électron
II.1 Introduction
II.2 Etude d’une hétérojonction
II.2.1 Introduction
II.2.2 Diagramme de bande d’une hétérojonction
II.3 Formation et expression du 2-DEG
II.4 Principe du transistor HEMT.
ii.5 Caractéristiques électriques HEMT
1.5.1 Caractéristiques statiques.
II.5.2 La Transconductance
II.5.3 La fréquence de transition d’un HEMT
II.5.4 Fréquence de coupure et fréquence maximale d’oscillation
II.5.5 Bruit généralités.
II.5.5.1 Origines du bruit
II.5.5.2 Les bruits en excès.
11.5.6 Facteur de bruit
II.5.6.1 Température de bruit.
II.5.6.2 Bruit d’un système.
II.5.6.3 Principe des mesures.
II.5.6.4 Définition de l’ENR
II.5.7 Fonctionnement en puissance II.5.7.1 La puissance de sortie
11.6 Le schéma équivalent petit signal
II.6.1 La transconductance
11.6.2 La conductance de sortie
11.6.3 La capacité grille- source.
II.6.4 La capacité grille-drain
11.6.5 La capacité entre le drain et la source
II.6.6 Les résistances Ri et Rgd
11.7 Conclusion
Chapitre III: Résultats et discussion de simulation HEMT-LNA
III.1 Introduction
III.2 TCAD-SILVACO.
III.2.1 Principes et conditions d’utilisation
III.2.2 ATHENA TCAD-SILVACO.
III.2.3 ATLAS TCAD-SILVACO
III.2.4 DECKBUILD.
III.2.5 TONYPLOT
III.3 HEMT à base de GaN étudiés
III.3.1 Structures des HEMT.
III.4 Résultats et discussion
III.4.1 Performances de DC
III.4.1.1 Caractéristique de transfert IDS-VGS
III.4.1.2 Caractéristique de sortie IDS-VDS
III.4.1.3 Caractéristique de transconductance gm-VGS
III.4.2 Caractéristiques AC
III.4.2.1 Capacités en fonction de tension.
III.4.2.2 Capacités en fonction de fréquence
III.4.3 Caractéristiques du bruit.
III.4.4 Caractéristique HEMT-LNA en bande Ku.
III.5 Conclusion
Chapitre 1
Chapitre 2
Chapitre 3.
Conclusion générale.
Références
VII
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