Etude des performances d’une cellule solaire tandem
Des informations générales:
Le niveau |
Master |
Titre |
Etude des performances d’une cellule solaire tandem |
SPECIALITE |
Electronique |
Page de garde:
Sommaire:
Chapitre I: Généralité et les principaux concepts de la cellule photovoltaïque
1.Introduction
2. L’effet photovoltaïque et cellule solaire
2.1 Principe de fonctionnent d’une cellule solaire
3. Spectre solaire et masse d’air
4. Les principales technologies solaires photovoltaïques
4.1 Cellules solaire au silicium cristallin
4.2 Cellules à base de couche mince
4.3 Cellules à base de photovoltaïque organique
4.4 Cellules multi-jonctions
5. La structure d’une cellule photovoltaïque
5.1 La couche antireflet
5.2 Les contacts
5.3 Texturisation
5.4 Fenêtre
5.5 L’émetteur et la base
5.6 BSF
6.Les paramètres de la cellule solaire
6.1 Courant de court-circuit Icc
6.2 Tension de circuit ouvert Vco
6.3 Facteur de forme (FF)
6.4 Le rendement électrique (n)
8. Conclusion
Chapitre II : Les bases et l’équations fondamentales dans les semi-conducteurs III-V
1.Introduction
2.Classification des matériaux
3.Définition des semi-conducteur III-V
4.Les propriétés des semi-conducteurs
4.1 La Bande d’énergie (Gap)
4.2 La masse effective de porteurs de charge
5. Les équations fondamentales de semi-conducteur
5.1 équations de poisson
5.2 équations de transport
5.3 Equations de continuités
6. Les recombinaisons du semi-conducteur
6.1 Recombinaison Auger
6.2 Recombinaison schockley-Read-Hall (SRH).
6.3 Recombinaison non-radiative
7.Conclusion
Chapitre III: Simulation et interprétation des résultats obtenus dans Atlas-Silvaco
Partie I: Logiciel de simulation Atlas-Silvaco
1.Introduction
2.Logiciel Silvaco-Atlas
3.L’entrée et sortie de Silvaco-Atlas
4.Spécification de la structure
4.1 Mesh
4.2. Régions
4.3 Electrode
4.2Dopage
5.Spécification des modèles des matériaux
5.1 Matériel
5.2Model
5.3 Interface
5.4 Contact
5.5 Lumière
5.6 Method
6.Spécification de la solution
6.1 Log
6.2 Solve
6.3 Load
6.4 Save
Partie II: Modélisation et interprétation des résultats d’une cellule solaire tandem :
1.La structure de la cellule tandem étudiée
1.1 Description de la cellule tandem
1.2 Définition de l’hétérojonction
2.Etude de la cellule supérieure InGaP
3.Etude de l’influence du dopage de la cellule supérieure InGaP les performances d’une cellule tandem
a.La variation de dopage de l’émetteur (type p) de InGaP.
b.La variation de dopage de la base (type n) de InGap
2.2 Etude de l’influence d’épaisseur de la cellule supérieur InGaP les performances d’une cellule tandem
a.La variation d’épaisseur de l’émetteur (type p) de InGaP
b.La variation d’épaisseur de la base (type n) de InGaP
3.Etude de la cellule inférieure GaAs
3.1 Etude de l’influence du dopage de la cellule inférieure GaAs les performances d’une cellule tandem
a.La variation de dopage de l’émetteur (type p) de GaAs
b.La variation de dopage de la base (type n) de GaAs
3.2 Etude de l’influence d’épaisseur de la cellule inférieure GaAs les performances d’une cellule tandem
a. La variation d’épaisseur de l’émetteur (type p) de GaAs
b.La variation d’épaisseur de la base (type n) de GaAs
4.L’influence de la jonction tunnel GaAs(n+) /GaAs(p+) sur la cellule tandem
4.1 la variation de l’épaisseur
4.2 La variation de dopage
a. la variation de dopage de jonction tunnel GaAs (type n)
Conclusion générale.
1.Introduction
2. L’effet photovoltaïque et cellule solaire
2.1 Principe de fonctionnent d’une cellule solaire
3. Spectre solaire et masse d’air
4. Les principales technologies solaires photovoltaïques
4.1 Cellules solaire au silicium cristallin
4.2 Cellules à base de couche mince
4.3 Cellules à base de photovoltaïque organique
4.4 Cellules multi-jonctions
5. La structure d’une cellule photovoltaïque
5.1 La couche antireflet
5.2 Les contacts
5.3 Texturisation
5.4 Fenêtre
5.5 L’émetteur et la base
5.6 BSF
6.Les paramètres de la cellule solaire
6.1 Courant de court-circuit Icc
6.2 Tension de circuit ouvert Vco
6.3 Facteur de forme (FF)
6.4 Le rendement électrique (n)
8. Conclusion
Chapitre II : Les bases et l’équations fondamentales dans les semi-conducteurs III-V
1.Introduction
2.Classification des matériaux
3.Définition des semi-conducteur III-V
4.Les propriétés des semi-conducteurs
4.1 La Bande d’énergie (Gap)
4.2 La masse effective de porteurs de charge
5. Les équations fondamentales de semi-conducteur
5.1 équations de poisson
5.2 équations de transport
5.3 Equations de continuités
6. Les recombinaisons du semi-conducteur
6.1 Recombinaison Auger
6.2 Recombinaison schockley-Read-Hall (SRH).
6.3 Recombinaison non-radiative
7.Conclusion
Chapitre III: Simulation et interprétation des résultats obtenus dans Atlas-Silvaco
Partie I: Logiciel de simulation Atlas-Silvaco
1.Introduction
2.Logiciel Silvaco-Atlas
3.L’entrée et sortie de Silvaco-Atlas
4.Spécification de la structure
4.1 Mesh
4.2. Régions
4.3 Electrode
4.2Dopage
5.Spécification des modèles des matériaux
5.1 Matériel
5.2Model
5.3 Interface
5.4 Contact
5.5 Lumière
5.6 Method
6.Spécification de la solution
6.1 Log
6.2 Solve
6.3 Load
6.4 Save
Partie II: Modélisation et interprétation des résultats d’une cellule solaire tandem :
1.La structure de la cellule tandem étudiée
1.1 Description de la cellule tandem
1.2 Définition de l’hétérojonction
2.Etude de la cellule supérieure InGaP
3.Etude de l’influence du dopage de la cellule supérieure InGaP les performances d’une cellule tandem
a.La variation de dopage de l’émetteur (type p) de InGaP.
b.La variation de dopage de la base (type n) de InGap
2.2 Etude de l’influence d’épaisseur de la cellule supérieur InGaP les performances d’une cellule tandem
a.La variation d’épaisseur de l’émetteur (type p) de InGaP
b.La variation d’épaisseur de la base (type n) de InGaP
3.Etude de la cellule inférieure GaAs
3.1 Etude de l’influence du dopage de la cellule inférieure GaAs les performances d’une cellule tandem
a.La variation de dopage de l’émetteur (type p) de GaAs
b.La variation de dopage de la base (type n) de GaAs
3.2 Etude de l’influence d’épaisseur de la cellule inférieure GaAs les performances d’une cellule tandem
a. La variation d’épaisseur de l’émetteur (type p) de GaAs
b.La variation d’épaisseur de la base (type n) de GaAs
4.L’influence de la jonction tunnel GaAs(n+) /GaAs(p+) sur la cellule tandem
4.1 la variation de l’épaisseur
4.2 La variation de dopage
a. la variation de dopage de jonction tunnel GaAs (type n)
Conclusion générale.
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