Etude ab initio du dopage du AlGaN par du Germanium
Des informations générales:
Le niveau |
Master |
Titre |
Etude ab initio du dopage du AlGaN par du Germanium |
SPECIALITE |
Physique de la matière condensée |
Page de garde:
Sommaire:
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Introduction générale 1
Table de matière
Chapitre 1
Les matériaux à base des semi-conducteurs III-N 4
Introduction
Les propriétés des matériaux III-N 6
1.2.1 Les composés binaires (GaN, AIN) :
1.2.1.1 Propriétés structurales.
1.2.1.1.1 Structure cristallographique :
1.2.1.1.2 Polarité.
1.2.1.2 Propriétés électroniques.
Alliage Ternaire Al Ga,.IN : 13
Propriétés structurales.
1.2.2.2 Propriétés électroniques.
Référence 15
Chapitre 2
Le dopage des III-nitrures par le Germanium 17
2.1 Introduction :
Les applications du matériau AlGaN : 18
2.2.1 Les diodes électroluminescentes LED :
2.2.2 Les diodes Lasers LD :.
Photo-Détecteur d’UV: 21
2.2.4 La piézoélectrique :.
2.2.5 Les transistors HEMT :
Le dopage du l’AlGaN par le Germanium :
Pour quoi choisir le dopage par le Germanium?
Référence 25
Chapitre 3
La méthode de calcul 27
Introduction: 28
L’équation de Schrödinger :
Approximation de Born-Oppenheimer :
La théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) : 30
La méthodologie de Kohn-Sham :
3.4.2 L’Approximation de la Densité Locale (LDA) :.
3.4.3 L’Approximation du Gradient Généralisé GGA (non-local): 33
L’Approximation Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) :.
Le pseudo-Potentiel 34
Le code VASP :.
Référence : 35
Chapitre4
Résultats et discussions 37
Introduction 38
Paramètres de convergence: 39
Etude du composé Binaire GaN : 40
4.3.1 Propriétés structurales : 40
Stabilité structurale 40
Stabilité énergétique:. 42
Propriétés électroniques : 43
La structure de bande : 43
La densité d’état électronique :.
Etude du composé Ternaire Al, Ga,.,N (x=0.0625) : 46
Propriétés structurales :.
Stabilité structurale: 47
Stabilité énergétique 48
Propriétés électroniques : 49
4.4.2.1 La structure de bande : 49
4.4.2.2 La densité d’état électronique : 49
Étude le dopage du AlxGa1-xN par du Germanium : 51
Stabilité énergétique :.
Stabilité structurale : 52
4.5.1 Propriétés structurales :.
Propriétés électroniques : 53
Structure de bande:. 53
Densité d’états électronique :.
Référence 56
Conclusion 58
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Introduction générale 1
Table de matière
Chapitre 1
Les matériaux à base des semi-conducteurs III-N 4
Introduction
Les propriétés des matériaux III-N 6
1.2.1 Les composés binaires (GaN, AIN) :
1.2.1.1 Propriétés structurales.
1.2.1.1.1 Structure cristallographique :
1.2.1.1.2 Polarité.
1.2.1.2 Propriétés électroniques.
Alliage Ternaire Al Ga,.IN : 13
Propriétés structurales.
1.2.2.2 Propriétés électroniques.
Référence 15
Chapitre 2
Le dopage des III-nitrures par le Germanium 17
2.1 Introduction :
Les applications du matériau AlGaN : 18
2.2.1 Les diodes électroluminescentes LED :
2.2.2 Les diodes Lasers LD :.
Photo-Détecteur d’UV: 21
2.2.4 La piézoélectrique :.
2.2.5 Les transistors HEMT :
Le dopage du l’AlGaN par le Germanium :
Pour quoi choisir le dopage par le Germanium?
Référence 25
Chapitre 3
La méthode de calcul 27
Introduction: 28
L’équation de Schrödinger :
Approximation de Born-Oppenheimer :
La théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) : 30
La méthodologie de Kohn-Sham :
3.4.2 L’Approximation de la Densité Locale (LDA) :.
3.4.3 L’Approximation du Gradient Généralisé GGA (non-local): 33
L’Approximation Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) :.
Le pseudo-Potentiel 34
Le code VASP :.
Référence : 35
Chapitre4
Résultats et discussions 37
Introduction 38
Paramètres de convergence: 39
Etude du composé Binaire GaN : 40
4.3.1 Propriétés structurales : 40
Stabilité structurale 40
Stabilité énergétique:. 42
Propriétés électroniques : 43
La structure de bande : 43
La densité d’état électronique :.
Etude du composé Ternaire Al, Ga,.,N (x=0.0625) : 46
Propriétés structurales :.
Stabilité structurale: 47
Stabilité énergétique 48
Propriétés électroniques : 49
4.4.2.1 La structure de bande : 49
4.4.2.2 La densité d’état électronique : 49
Étude le dopage du AlxGa1-xN par du Germanium : 51
Stabilité énergétique :.
Stabilité structurale : 52
4.5.1 Propriétés structurales :.
Propriétés électroniques : 53
Structure de bande:. 53
Densité d’états électronique :.
Référence 56
Conclusion 58
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