Caractérisation des cellules photovoltaïques à base d’hétérojonction de silicium a-Si/c-Si
Des informations générales:
Le niveau |
Master |
Titre |
Caractérisation des cellules photovoltaïques à base d’hétérojonction de silicium a-Si/c-Si |
SPECIALITE |
physique énergétique et énergie renouvelable |
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Sommaire:
Introduction générale
Chapitre I: généralité sur les cellules PV.
I. Introduction
II. Principe de fonctionnement des cellules photovoltaïque :
III. Irradiation solaire
IV. Caractérisation électrique des cellules photovoltaïques.
Le courant de court-circuit Icc
La tension en circuit ouvert Vco
Le facteur de forme FF.
Le rendement.
La réponse spectrale.
La photoluminescence
V. Circuits électriques équivalentes d’une cellule photovoltaïque
Modèle a une diode
Modèle à deux diodes
VI. Filière photovoltaïque
VI.1 Filière de silicium cristallin
Silicium monocristallin.
Silicium polycristallin.
VI.2 Filière des couches minces
VI.2.1 Cellules à base de silicium couche mince.
Combinaison entre silicium amorphe et silicium cristallin VI.2.2 Cellules à base de Tellurure de cadmium (CdTe).
VI.2.3 Cellules à base cuivre-indium-gallium-sélénium (CIGS).
VI.3 Filière des cellules à très haut rendement (GaAs).
VI.4 Filière des cellules organique
VI.5 Cellules à colorant
VII. Conclusion.
chapitre 2 cellules PV à hétérojonction de silicium a-Si/c-Si Introduction
I.
II. Combinaison entre a-Si :H/c-Si
II.1 Principe Historique
II.2 Technique de dépôt du silicium amorphe hydrogéné a-Si: H:.
IV. Les composants principaux de la cellule à hétérojonction de silicium.
IV.1 L’oxyde transparent conducteur (TCO)
IV.2 La couche tampon
IV.3 La couche absorbante.
V. Diagramme des bandes
VI. Propriétés électriques :
VI.1 Concentration des porteurs de charge libres :
VI.2 Mobilité des porteurs :
VI.3 Conductivité et résistivité :
VI.4 Recombinaisons des porteurs libres
VII. Présentation de logiciel de simulation AFORS-HET.
VIII. Conclusion
Chapitre 3: modélisation des performances des cellules PV à hétérojonction de silicium 35 Introduction
I.
II. Modélisation des performances des cellules PV à base de a-Si/c-Si
II.1 Caractéristique J-V
II.2 Influence de l’épaisseur de la couche a-Si
II.2 Influence de l’épaisseur de la couche c-Si
III.3 Influence de dopage de la couche a-Si
III.4 Influence de dopage de la couche c-Si
III. L’effet de l’insertion de la couche BSF
III. 1 caractérisation J(V)
III.2 Influence de dopage de la couche BSF
III.3 L’influence de l’énergie de gap de la couche BSF.
III.3 L’influence de l’énergie de gap de la couche émettrice
IV. Les performances de la cellule photovoltaïque HIT .
IV.1 Caractérisation J-V
IX. Conclusion
Chapitre I: généralité sur les cellules PV.
I. Introduction
II. Principe de fonctionnement des cellules photovoltaïque :
III. Irradiation solaire
IV. Caractérisation électrique des cellules photovoltaïques.
Le courant de court-circuit Icc
La tension en circuit ouvert Vco
Le facteur de forme FF.
Le rendement.
La réponse spectrale.
La photoluminescence
V. Circuits électriques équivalentes d’une cellule photovoltaïque
Modèle a une diode
Modèle à deux diodes
VI. Filière photovoltaïque
VI.1 Filière de silicium cristallin
Silicium monocristallin.
Silicium polycristallin.
VI.2 Filière des couches minces
VI.2.1 Cellules à base de silicium couche mince.
Combinaison entre silicium amorphe et silicium cristallin VI.2.2 Cellules à base de Tellurure de cadmium (CdTe).
VI.2.3 Cellules à base cuivre-indium-gallium-sélénium (CIGS).
VI.3 Filière des cellules à très haut rendement (GaAs).
VI.4 Filière des cellules organique
VI.5 Cellules à colorant
VII. Conclusion.
chapitre 2 cellules PV à hétérojonction de silicium a-Si/c-Si Introduction
I.
II. Combinaison entre a-Si :H/c-Si
II.1 Principe Historique
II.2 Technique de dépôt du silicium amorphe hydrogéné a-Si: H:.
IV. Les composants principaux de la cellule à hétérojonction de silicium.
IV.1 L’oxyde transparent conducteur (TCO)
IV.2 La couche tampon
IV.3 La couche absorbante.
V. Diagramme des bandes
VI. Propriétés électriques :
VI.1 Concentration des porteurs de charge libres :
VI.2 Mobilité des porteurs :
VI.3 Conductivité et résistivité :
VI.4 Recombinaisons des porteurs libres
VII. Présentation de logiciel de simulation AFORS-HET.
VIII. Conclusion
Chapitre 3: modélisation des performances des cellules PV à hétérojonction de silicium 35 Introduction
I.
II. Modélisation des performances des cellules PV à base de a-Si/c-Si
II.1 Caractéristique J-V
II.2 Influence de l’épaisseur de la couche a-Si
II.2 Influence de l’épaisseur de la couche c-Si
III.3 Influence de dopage de la couche a-Si
III.4 Influence de dopage de la couche c-Si
III. L’effet de l’insertion de la couche BSF
III. 1 caractérisation J(V)
III.2 Influence de dopage de la couche BSF
III.3 L’influence de l’énergie de gap de la couche BSF.
III.3 L’influence de l’énergie de gap de la couche émettrice
IV. Les performances de la cellule photovoltaïque HIT .
IV.1 Caractérisation J-V
IX. Conclusion
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