Etude ab-initio de la possibilité d’incorporation des terres rares dans les semi-conducteurs II-VI
Des informations générales:
Le niveau |
Master |
Titre |
Etude ab-initio de la possibilité d’incorporation des terres rares dans les semi-conducteurs II-VI |
SPECIALITE |
PHYSIQUE DE LA MATIÈRE CONDENSÉE |
Page de garde:
Sommaire:
Introduction Générale.
Chapitre I: Généralités sur les semi-conducteurs et l’électronique et DMS.
Introduction
I. Définition de l’électronique et semi-conducteurs.
I.1. c’est quoi l’électronique.
1.2.Semi-conducteur
1.2.1. Types des semi-conducteurs.
1.3. Le magnétisme.
1.4. La Spintronique
1.5.Les semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS)
1.5.1.Les DMS à base des semi-conducteurs II-VI
1.6. Conclusion.
1.7.Référence chapitre I:
Chapitre II.
Propriétés structurales du CdTe.
II. Introduction
II.1.Historique du matériau II.2.Structure cristalline du CdTe
II.2.1. La structure Würtzite
II.2.2. La structure zinc blende
II.2.3.Application du CdTe
II.3.Propriétés électroniques du CdTe
II.3.1. Propriétés électriques
II.3.2. Propriétés magnétiques.
II.4. Introduction aux terres rares.
II.4.1. Les propriétés magnétiques des semi-conducteurs dopés aux terres rares
II.4.2. CdTe dopé aux Fe, Co, Mn
II.5.Propriétés magnétiques du CdTe dopé Eu3+
II.6. Conclusion
II.7.Référence chapitre II :
Chapitre III:.
La Théorie de la Fonctionnelle de la Densité « DFT
III. La Théorie de la Fonctionnelle de la Densité.
III.1. Introduction:
III.1.2. Equation de Schrödinger.
III.1.3 L’approximation de Born-Oppenheimer.
III.3.1. Théorèmes de Hohenberg et Kohn
III.3.2Les équations de Kohn et Sham
III.4. Approximation pour le terme d’échange et de corrélation (XC)
III.4.1.Approximation de la densité locale(LDA)
III.4.2.Approximation du gradient généralisé(GGA)
III.4.2. Résolution des équations de Kohn-Sham
III.5.Codes de calculs utilisés
III.5.1.Vasp
III.5.2. Théorème de Bloch et bases d’ondes planes
III.5.3. Intégration de la zone de Brillouin et points k
III.5.4. Densité d’états.
III.5.5. Approximation des pseudos potentiels.
III.5.6. Supercellule.
III.8.Référence chapitre III:.
Chapitre IV.
Résultats et discussions.
IV.1.Introduction
IV.2.Détails de calcul.
IV.3. Propriétés structurales et électroniques du composé CdTe.
IV.3.1. Propriétés structurales du CdTe.
IV.3.2. La densité de charge du CdTe
IV.4. Etude du CdTe dopé Eu
IV.4.1. Energie de formation
IV.4.2.Densités d’états électronique du Cd1Eu Te ainsi que CdEu Te 1-x.
IV.5. Conclusions
IV.6. Référence chapitre IV:
Conclusion générale
Chapitre I: Généralités sur les semi-conducteurs et l’électronique et DMS.
Introduction
I. Définition de l’électronique et semi-conducteurs.
I.1. c’est quoi l’électronique.
1.2.Semi-conducteur
1.2.1. Types des semi-conducteurs.
1.3. Le magnétisme.
1.4. La Spintronique
1.5.Les semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS)
1.5.1.Les DMS à base des semi-conducteurs II-VI
1.6. Conclusion.
1.7.Référence chapitre I:
Chapitre II.
Propriétés structurales du CdTe.
II. Introduction
II.1.Historique du matériau II.2.Structure cristalline du CdTe
II.2.1. La structure Würtzite
II.2.2. La structure zinc blende
II.2.3.Application du CdTe
II.3.Propriétés électroniques du CdTe
II.3.1. Propriétés électriques
II.3.2. Propriétés magnétiques.
II.4. Introduction aux terres rares.
II.4.1. Les propriétés magnétiques des semi-conducteurs dopés aux terres rares
II.4.2. CdTe dopé aux Fe, Co, Mn
II.5.Propriétés magnétiques du CdTe dopé Eu3+
II.6. Conclusion
II.7.Référence chapitre II :
Chapitre III:.
La Théorie de la Fonctionnelle de la Densité « DFT
III. La Théorie de la Fonctionnelle de la Densité.
III.1. Introduction:
III.1.2. Equation de Schrödinger.
III.1.3 L’approximation de Born-Oppenheimer.
III.3.1. Théorèmes de Hohenberg et Kohn
III.3.2Les équations de Kohn et Sham
III.4. Approximation pour le terme d’échange et de corrélation (XC)
III.4.1.Approximation de la densité locale(LDA)
III.4.2.Approximation du gradient généralisé(GGA)
III.4.2. Résolution des équations de Kohn-Sham
III.5.Codes de calculs utilisés
III.5.1.Vasp
III.5.2. Théorème de Bloch et bases d’ondes planes
III.5.3. Intégration de la zone de Brillouin et points k
III.5.4. Densité d’états.
III.5.5. Approximation des pseudos potentiels.
III.5.6. Supercellule.
III.8.Référence chapitre III:.
Chapitre IV.
Résultats et discussions.
IV.1.Introduction
IV.2.Détails de calcul.
IV.3. Propriétés structurales et électroniques du composé CdTe.
IV.3.1. Propriétés structurales du CdTe.
IV.3.2. La densité de charge du CdTe
IV.4. Etude du CdTe dopé Eu
IV.4.1. Energie de formation
IV.4.2.Densités d’états électronique du Cd1Eu Te ainsi que CdEu Te 1-x.
IV.5. Conclusions
IV.6. Référence chapitre IV:
Conclusion générale
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