MODÉLISATION DES MESURES D’EFFUSION THERMIQUE DE L’HYDROGÈNE DU SILICIUM AMORPHE NANOSTRUCTURE (POLYMORPHE)
Des informations générales:
Master |
Le niveau |
MODÉLISATION DES MESURES D’EFFUSION THERMIQUE DE L’HYDROGÈNE DU SILICIUM AMORPHE NANOSTRUCTURE (POLYMORPHE) |
Titre |
| Technologie et physique des couches minces nanostructurées |
SPECIALITE |
Page de garde:
Sommaire:
Introduction générale
Chapitre I: le silicium hydrogéné
I-1-INTRODUCTION
I-2- Propriétés du silicium monocristallin, amorphe et nanocristallin
I-2-1-Le silicium monocristallin
I-2-2- Le silicium amorphe non hydrogéné et hydrogéné
A- Le silicium amorphe non hydrogéné
B- Le silicium amorphe hydrogéné
C- Rôle de l’hydrogène dans a-Si-H
I-2-3- Le silicium microcristallin uc-Si-H
I-2-4- Le silicium polymorphe pm-Si-H
I-2-5- Le silicium poly-cristallin p c-Si- H
I-3- Les procédés de dépôt de couches minces du silicium
Réferences bibliographies
Chapitre II :l’effusion thermique de l’hydrogène (modèle de calcul et exemples)
II-1-INTRODUCTION
II-2-Principe de la technique de l’effusion thermique de l’hydrogène
II-3-Concepts théoriques : cas de la désorption
a- Dans le cas d’une réaction de désorption du premier ordre
b- Dans le cas d’une désorption du second ordre
c-Cas général d’une réaction d’ordre n quelconque
II-3-2-Modélisation des spectres TDS
II-4-Effusion limitée par la diffusion
II-4-1-Equation de la diffusion
II-4-2-Résolution de l’équation de la diffusion
II-5- Historique de l’effusion thermique de l’hydrogène dans le silicium
II-5-1-Cas du silicium monocristallin
II-5-2-Cas du silicium Poreux
II-5-3-Cas du silicium amorphe
II-5-4-Cas du silicium microcristallin
Références bibliographiques
Chapitre III: Résultats et discussions
III.1. INTRODUCTION
III.2. Méthode de modélisation
III.1.1. La désorption d’ordre n=1
III.1.2. La désorption d’ordre n=2
III.1.3. La diffusion
III-3-Identification de la nature des pics P1, P2 et P3
III-4-Modélisation des spectres d’effusion thermique
Références bibliographiques
Conclusion générale
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