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MODELISATION DES DEFAUTS PONCTUELS DANS UNE MATRICE (BaSnO3) DE STOCKAGE DES DECHETS RADIOACTIFS PAR LA THEORIE DU TRANSPORT

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Génie des matériaux

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MODELISATION DES DEFAUTS PONCTUELS DANS UNE MATRICE (BaSnO3) DE STOCKAGE DES DECHETS RADIOACTIFS PAR LA THEORIE DU TRANSPORT


Sommaire:

Introduction CHAPETRE I LES MATERIAUX PEROVSKITES I.1. Introduction I.2. La structure pérovskite I.3. Critères de stabilité de la structure pérovskite I.3.1.Le facteur de tolérance t de Goldschmidt I.3.2.L’ionicité de la liaison anion – cation I.4. Aspects stoechiométriques de la structure pérovskite I.5.Description de Stannate de baryum BaSnO3 I.5.1. Définition I.5.2. Structures de Stannate de baryum BaSnO3 I.5.3. Propriétés de Stannate de baryum I.5.4. Application de Stannate de baryum CHAPITRE II LA THEORIE Du RALENTISSEMENT II.1.Introduction II.2. La théorie du ralentissement des particules chargées dans la matiére II.2.1. Interaction Ion-Atome II.2.1.1. les processus élémentaires et régime de vitesse II.2.1.2.Description d’une collision II.2.2.Principaux processus d’interaction II.2.2.1.Définition du pouvoir II.2.2.2.Etude des pertes élastiques dans une collision binaire II.2.2.3. Evaluation de l’angle de diffusion II.2.2.4. Expression de la perte d’énergie II.2.2.5. Perte d’énergie nucléaire II.2.2.6. Notion de section efficace II.2.2.7. Perte d’énergie électronique II.2.2.8.Comparaison entre les pertes d’énergie nucléaire et électronique II.2.2.9. Dégâts créés par le dépôt d’énergie nucléaire II.2.2.10. Dispersion en énergie du faisceau incident : le « straggling » II.2.2.11. Différents potentiels d’interactions II.2.2.11.a. Autre modèles de potentiels II.2.2.12. Fonctions d’écrans II.3. Distribution en profondeur des ions implantés II.3.1. Les Parcours II.3.2. Création de défauts II.3.3. Distribution de Gauss II.3.4. Distribution de Pearson II.3.5. Autre distribution d’implantation CHAPITR III Codes et Simulations Numériques III.1. Introduction III.2. Les codes basés sur l’approximation des collisions binaires III.2.Pour les cibles amorphes III.2.2.1. le programme TRIM III.2.2. Pour les cibles cristallines III.2.3. Remarques III.3. La méthode de l’équation de transport III.3.1. La théorie du transport III.3.1.1. La solution générale de l’équation de transport III.4. les Méthodes Statistiques III.4.1. Méthode Statistique de Monte-Carlo III.4.1.1.Quelque applications de la méthode de Simulation Monte-Carlo III.4.1.2.Le principe de Monte-Carlo III.5. Simulations réalisées par le logiciel SRIM III.5.1. Présentation du logiciel de simulation numérique SRIM III.5.2.Caractéristiques générales des implantations CHAPITR IV RESULTATS ET DISCUSSIONS IV.1. Introduction IV.2. Description générale des résultats de la simulation de l’irradiation des particules alpha dans le BaSnO3 et dans le Pb IV.2.a. Quelques vues de la cascade de collision IV.2.b. Profils de distribution des parcours d’He IV.2.c. Perte d’énergie et création des désordres IV.2.c.1. Ionisation IV.2.c.2. les phonons IV.2.c.3. Profil de distribution des atomes IV.2.c.4 Bilan des différents événements dans la cascade de collision IV.3. Résultats et discussions du bombardement avec les ions d’hélium IV.3.1.Distribution des parcours IV.3.2. Perte d’énergie et création des désordres IV.4. Résultats et discussions du bombardement avec les ions de Thorium IV.4.1.Distribution des parcours IV.4.2. Perte d’énergie et création des désordre IV.5. Résumé des résultats et conclusions Conclusion

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