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Master

Le niveau
ETUDE MICROSTRUCTURALE ET OPTIQUE DES COUCHES MINCES DU DISULFURE D’ETAIN (SnS2) DEPOSEES PAR SPRAY PYROLYSE ULTRASONIQUE

Titre
Technologie et Physique des Couches Minces Nano-structurées

SPECIALITE

Page de garde:

ETUDE MICROSTRUCTURALE ET OPTIQUE DES COUCHES MINCES DU DISULFURE D'ETAIN (SnS2) DEPOSEES PAR SPRAY PYROLYSE ULTRASONIQUE

Sommaire:

INTRODUCTION CHAPITRE I: Généralités sur SnS et SnS2 I.1 Introduction I.2 Les semi-conducteurs type IV-VI I.2.1 Composés IV-VI I.2.1.1 Tendances dans le groupe IV I.2.1.2 Tendances dans le groupe VI I.2.2 Propriétés des constituants élémentaires des composés IV-VI I.3 Sulfure d’étain I.3.1 Mono sulfures d’étain I.3.2 Disulfure d’étain SnS2 I.4 Techniques d’élaboration de sulfure d’étain I.5 Propriétés structurales I.5.1 Mono sulfures d’étain I.5.2 Disulfure d’étain SnS2 I.6 Propriétés électrique I.6.1 Mono sulfures d’étain I.6.2 Disulfure d’étain SnS2 I.7 Phase d’équilibre du système de Sn-S I.8 Structure de bandes d’un semi-conducteur I.8.1 Description des bandes I.8.2 Caractéristiques des bandes I.8.3 Structure de bandes du SnS2 I.9 Propriétés optiques I.10 conclusion CHAPITRE II: Les différentes techniques d’élaboration des couches minces et technique de spray ultrasonique II.1 Introduction II.2 Définition de couches minces II.3 Principe de dépôt de couches minces II.4 domaines d’applications des couches minces II.5 Techniques de déposition des couches minces II.5.1 Dépôt en phase vapeur physique (PVD) II.5.1.1 Dépôt par évaporation thermique II.5.1.2 Dépôt par Pulvérisation cathodique II.5.1.3 Ablation laser II.5.1.4 L’Epitaxie par Jets Moléculaires (MBE) II.5.2 Dépôt en phase vapeur chimique (CVD) II.5.2.1 Dépôt des couches minces par plasma PECVD II.5.2.2 Le dépôt LASER CVD (LCVD) II.5.2.3 L’électrodéposition II.5.2.4 Sol-gel II.5.2.5 spray pyrolyse II.5.2.6 Dépôt par bain chimique (CBD) II.6 Mécanisme de croissance des couches minces II.6.1 La nucléation II.6.2 la coalescence II.6.3 La croissance II.7 Technique de spray pyrolyse ultrasonique II.7.1 Le spray pyrolyse II.7.2 Principe du procédé spray ultrasonique II.7.3 Conditions expérimentales II.7.4 Les avantages de la technique de spray II.8 Conclusion CHAPITRE III : les techniques de caractérisations du disulfure d’étain III.1 introduction III.2 Préparation des substrats III.2.1 Choix du substrat de dépôt III.2.2 Nettoyage des substrats III.2.3 Procédure de dépôt III.3 Techniques de caractérisation III.3.1 Caractérisation structurale III.3.1.1 Spectroscopie Raman III.3.1.2 Spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier, FTIR III.3.2 Caractérisation optique III.3.2.1 Spectroscopie UV-Visible III.3.2.2 Mesures des propriétés optiques III.3.3 Caractérisation électrique III.4 Conclusion Chapitre IV: Résultats et Discutions IV.1 Introduction IV.2.1 Résultats de la spectroscopie de diffusion Raman IV.2.2 Résultats de la spectroscopie d’absorption infrarouge FTIR IV.3 Résultats des mesures optiques IV.4 Résultats des mesures électriques Conclusion Perspectives

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