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INFLUENCE DU TAUX DE DOPAGE PAR L’ANTIMOINE Sb SUR LES PROPRIETES OPTIQUES DU SnO2 PREPARE PAR SPRAY PYROLYSE ULTRASONIQUE

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Génie des Matériaux

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INFLUENCE DU TAUX DE DOPAGE PAR L'ANTIMOINE Sb SUR LES PROPRIETES OPTIQUES DU SnO2 PREPARE PAR SPRAY PYROLYSE ULTRASONIQUE

Sommaire:

Chapitre I I.1 introduction Propriétés physico-chimiques du SnO2 1.2.Définition et types d’un semi-conducteur 1.2.1.Description 1.2.2.Structure électronique des semi-conducteurs 1.2.2.1.Principe de la structure en bandes 1.2.2.2.Notion de gap 1.2.2.3.caractéristique spécifique aux matériaux a gap directe 1.2.3.Types des semi-conducteur 1.2.3.1.semi-conducteur intrinsèque 1.2.3.2.semi-conducteur extrinsèque 1.3.Le dioxyde d’étain 1.4.structure cristalline et électronique du SnO2 1.4.1.structure cristalline 1.4.2.structure électronique 1.5.Propriétés optiques et électriques 1.5.1.Propriétés optiques 1.5.1.1.Indice de réfraction du film 1.5.1.2.L’épaisseur de la couche 1.5.1.3. Energie gap du semi-conducteur 1.5.2.Propriétés électriques 1.5.2.1.Mesures électriques 1.6.Rôle du dopage sur les propriétés de l’oxyde d’étain 1.6.1.Modifications cristallographiques 1.6.2.Modifications optiques 1.6.3.Modifications électriques 1.7.Applications de l’oxyde d’étain 1.7.1.Vitrage à isolation thermique 1.7.2.Electrodes 1.7.3.Piles au lithium 1.7.4.Les capteurs chimiques 1.7.5.Les applications photovoltaïques Chapitre II synthèse des couches minces du dioxyde d’étain II.Synthèse des couches minces et nanostructures de l’oxyde d’étain II.1.Procédés physiques II.1.1.dépôt physique en phase vapeur (PVD) II.1.2.Ablation laser (Pulse Laser Déposition PLD) II.1.3.Epitaxie par jet moléculaire (MBE) II.1.4.Pulvérisation cathodique réactive: sputtering II.1.5.L’oxydation thermique II.2.Procédés chimiques II.2.1. Techniques de dépôts en solution II.2.2.Techniques de dépôts en Phase gazeuse II.2.2.1.Le dépôt chimique en phase vapeur(CVD) II.2.2.2.Le dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma (PACVD) II.3.spray pyrolyse II.3.1.Pulvérisation II.3.2.La pyrolyse II.3.3.Croissance et microstructure des couches minces obtenues par le procédé Pyrosol II.3.4.Classification des modes de croissance II.3.5.Microstructure des couches minces II.3.6.Influence de la température de dépôt sur la microstructure II.3.7.Mise en œuvre expérimentale du procédé Pyrosol Rôle des éléments du montage dans le processus de déposition II.4.Préparation de nos échantillons II.4.1.Préparation des substrats II.4.2.Préparation des solutions II.5.Paramètres modulables de déposition Chapitre III Méthodes de caractérisations des échantillons élaborés III.1.Profilometrie III.2.Mesures électriques III.3.Spectroscopie raman Généralités Effet Raman En résumé Le spectre Raman III.4. Transmission optique Transmission et constantes optiques Principe de la méthode Traitement des spectres de transmission Détermination de l’indice de réfraction et de l’épaisseur Détermination du coefficient d’absorption optique a Chapitre IV Résultats et discussion IV.1.Introduction 1ère partie, Optimisation de la concentration de la solution de SnO2 pure IV.2.Résultats de la spectroscopie d’absorption infrarouge FTIR IV.3.Mesures optique IV.4.Mesures électriques 2ème partie, Dopage à l’antimoine Sb Préparation des solutions de SnO2 dopées : Dépôt des couches minces par « Spray –pyrolyse ultrasonique » Mise au point du protocole IV.5. Résultats de la spectroscopie de diffusion Raman IV.6.Mesures optiques I.V.7.Mesures électriques CONCLUSION

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