Elaboration et Etude de la dégradation des couches minces de carbure de silicium destinées à la valorisation photochimique du CO2

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Sommaire:

Introduction générale
Généralités sur le carbure de silicium
Introduction
I. Les semi-conducteurs
a. Les semi-conducteurs extrinsèques (dopage)
b. Les semi-conducteurs amorphes7
II. Le carbure du silicium
1. Découverte du carbure de silicium
2. Cristallographie
3. Généralités sur l’élaboration du SiC
a. Diagramme d’équilibre binaire Si-C
b. élaboration du SiC massif
4. Propriétés du SiC
a. SiC cristallin
b. SiC amorphe
5. Domaines d’application du SiC
Conclusion
Références bibliographies
Généralités sur les couches minces
Introduction
I. Définition d’une couche mince
1. mécanisme de formation d’une couche mince
2. processus de dépôt de couche mince
II. Méthodologies de dépôt de couche mince
1. Les méthodes chimiques
a – Dépôt de vapeur par voie chimique CVD
b- La méthode sol gel
c – La méthode d’électrodéposition
d – La méthode Spray pyrolyses
2. les méthodes physiques
A. Dépôt par évaporation
a – Evaporation par effet joule
b- Evaporation par bombardement électronique
c- Dépôt par ablation laser pulsée .5d- L’ablation par faisceau pulsée d’Electrons (PED)
B. Dépôt par pulvérisation cathodique (SPUTTERING)
Principe de pulvérisation
a- Dépôt de couches par pulvérisation DC (Current sputtering)
b- Pulvérisation en mode radiofréquence RF
c- EFF et magnétron
III. Avantages et limites de la technique de dépôt par pulvérisation cathodique magnétron (RF)
a. Avantages
b. Limite
Conclusion
Références bibliographiques
Procédure expérimentale et techniques de caractérisation
Introduction
Partie I : procédure expérimentale
1. Elaboration des couches minces en SiC par pulvérisation magnétron RF
a. Nettoyage des substrats en silicium
b. Protocole de dépôt
c. Conditions de dépôt
2. Dégradation des couches minces du carbure de silicium
Partie II : Techniques de caractérisation
1. La spectroscopie infrarouge par transformée de Fourier
2. Le Microscope électronique à balayage
3. La Spectroscopie UV-visible Proche-Infrarouge
4. La photoluminescence PL
5. Angle de contact
6. La microsonde de Castaing (EPMA)
7. Microscope optique
8. Spectrophotométrie
9. La diffraction des rayons X (DRX)
10. Potentiostat
Conclusion
Références bibliographique
Résultats et interprétations
PARTIE I : PROPRIETES PHYSICO CHIMIQUE
Introduction
PARTIE I : PROPRIETES PHYSICO CHIMIQUE
I. Détermination de la composition chimique par EPMA
II. Diffraction des rayons X
III. Détermination de la morphologie des couches minces de SiC
1. Par microscopie optique
2. Par microscopie électronique
IV. Analyse par spectrométrie infrarouge de Fourier (FTIR)
V. Photoluminescence
VI. Angle de contact
VII. Spectroscopie UV-visible en réflexion
VIII. Caractérisation photo-électrochimique
IX. Le tracé du diagramme des niveaux d’énergie
PARTIE II : DEGRADATION DES COUCHES MINCES DU CARBURE DU SILICIUM
X. Mesure du Ph après dégradation
XI. Détermination de SiO2 dans les solutions après dégradations du SiC par spectrophotométrie
XII. Microscopie optique
XIII. Angle de contact (après dégradation)
XIV. Analyse par spectroscopie de Fourier (après dégradation)
1. dégradation dans une eau de mer et une eau désionisée
2. Dégradation en milieux acides
3. Dégradation en milieux basiques
Conclusion
Références bibliographies
Conclusion générale

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