Contribution à l’étude des propriétés structurales et électroniques du quaternaire B ̧In Ga1-x-N par simulation numérique.
Des informations générales:
Le niveau |
Master |
Titre |
Contribution à l’étude des propriétés structurales et électroniques du quaternaire B ̧In Ga1-x-N par simulation numérique. |
SPECIALITE |
Physique des Matériaux |
Page de garde:
Sommaire:
Introduction Général
Chapitre I: Généralités sur les semi-conducteur III-V
I. Introduction
I.1. Semi-conducteur III-V
I.1 Définition Semi-conducteur III-V.
I.2.Notion de bande d’énergie.
I.3.Type de Semi-conducteur
1.3.1. Semi-conducteur intrinsèque
1.3.2. Semi-conducteur extrinsèque
1.3.3. Semi-conducteur dopé n
1.3.4. Semi-conducteur dopé p
I.4.Propriétés structurales cristallines
I.4.1.Structure zinc blende
I.4.2.La zone de Brillouin
I.5.Propriétés électroniques
1.5.1.Gap direct et gap indirect.
I.6.Classification des alliage binaire, ternaire quaternaire des Semi-conducteur
III-V
1.6.1. Alliage binaire
1.6.2. Alliage ternaire quaternaire
I.7. Conclusion
Chapitre II: Théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)
II. Introduction
II.1.Approximation
II.1.1.Equation de Schröd
II.2.Les approximations fondamentales
II.2.1.Approximation de Born-Oppenheimer
II.2.2.Approximation de Hartree et Hartree-Fock
II.3. Théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)
II.4.Théorème et Equation de Hohenberg-Kohn
II.5.Théorème de Kohn et Sham
II.6.fonctionnelle d’échange-corrélation
II.7. Approximation de la densité locale (LDA)
II.8. L’approximation du gradient généralisé (GGA).
II.9. L’approximation (GGA)
II.10. Méthode de calcul de la structure électronique
II.11.La méthode des ondes planes augmentées (APW)
II.12. La méthode des ondes planes augmentées linéarisées avec le potentiel
complet (FP-LAPW)
II.13.Présentation du logiciel Wien 2k
II.14.Détermination des propriétés
II.15.Conclusion
Chapitre III: Résultats et discussions
III.1. Introduction
III.2. Détails de Calculs
III.3. Propriétés structurales
III.4 .Variation des propriétés structurales en fonction de la
composition
III.5. Les Propriétés Electroniques.
Chapitre I: Généralités sur les semi-conducteur III-V
I. Introduction
I.1. Semi-conducteur III-V
I.1 Définition Semi-conducteur III-V.
I.2.Notion de bande d’énergie.
I.3.Type de Semi-conducteur
1.3.1. Semi-conducteur intrinsèque
1.3.2. Semi-conducteur extrinsèque
1.3.3. Semi-conducteur dopé n
1.3.4. Semi-conducteur dopé p
I.4.Propriétés structurales cristallines
I.4.1.Structure zinc blende
I.4.2.La zone de Brillouin
I.5.Propriétés électroniques
1.5.1.Gap direct et gap indirect.
I.6.Classification des alliage binaire, ternaire quaternaire des Semi-conducteur
III-V
1.6.1. Alliage binaire
1.6.2. Alliage ternaire quaternaire
I.7. Conclusion
Chapitre II: Théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)
II. Introduction
II.1.Approximation
II.1.1.Equation de Schröd
II.2.Les approximations fondamentales
II.2.1.Approximation de Born-Oppenheimer
II.2.2.Approximation de Hartree et Hartree-Fock
II.3. Théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)
II.4.Théorème et Equation de Hohenberg-Kohn
II.5.Théorème de Kohn et Sham
II.6.fonctionnelle d’échange-corrélation
II.7. Approximation de la densité locale (LDA)
II.8. L’approximation du gradient généralisé (GGA).
II.9. L’approximation (GGA)
II.10. Méthode de calcul de la structure électronique
II.11.La méthode des ondes planes augmentées (APW)
II.12. La méthode des ondes planes augmentées linéarisées avec le potentiel
complet (FP-LAPW)
II.13.Présentation du logiciel Wien 2k
II.14.Détermination des propriétés
II.15.Conclusion
Chapitre III: Résultats et discussions
III.1. Introduction
III.2. Détails de Calculs
III.3. Propriétés structurales
III.4 .Variation des propriétés structurales en fonction de la
composition
III.5. Les Propriétés Electroniques.
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