Etude compréhensive des propriétés optiques des Semi-conducteurs
Des informations générales:
Le niveau |
Master |
Titre |
Etude compréhensive des propriétés optiques des Semi-conducteurs |
SPECIALITE |
Modélisation, Simulation et Applications de la Physique |
Page de garde:
Sommaire:
Chapitre I: les semi-conducteurs et leurs applications
1. Introduction
2. Conducteurs-isolants-semi-conducteurs
3. différents types de semi conducteurs
3.1. semi conducteur intrinséque
3.2. Les semi-conducteurs extrinsèques
3.2.1. Dopage de type n ou donneur
3.2.2. Dopage de type p ou accepteur
4. Les propriétés optiques
4.1. Le processus d’absorption
4.1.1. L’absorption dans un semi-conducteur gap direct
4.1.2. L’absorption dans un semi-conducteur gap indirect
4.2. Le coefficient d’absorption
4.2.1. Les semi-conducteurs à gap direct
4.2.2. Les semi-conducteurs à gap indirect
4.3. Le processus d’émission
4.3.1. Conservation de l’énergie
4.3.2. Conservation de la quantité de mouvement
4.4. L’indice de réfraction
5. Applications des semi-conducteurs
5.1. Les lasers
5.1.1 Définition
5.1.2 Caractéristique de la lumière laser
5.1.3 Les applications de lasers
5.1.4 Structure de la diode bleue à base de GaN
5. Les cellules photovoltaïques
5.1. Définition phénomène photovoltaïque PV
5.2. Le fonctionnement d’une cellule photovoltaïque
5.3. Les types de cellules photovoltaïques
5.4. Une cellule de CdTe
5.5. Les Avantages de la cellule solaire CdTe
6. Les Détecteurs infrarouges
6.1. Le rayonnement infrarouge
6.2. Les types des détecteurs IR
7.2.1.Les détecteurs thermiques
7.2.2.Les détecteurs quantiques
7.3. Les Propriétés fondamentales de HgCdTe
Chapitre II: Méthodes de calcul
1. La théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)
1.1. Approximation de Born-Oppenheimer
1.2. Théorème de Hohenberg et Kohn
1.3. Equation de Kohn et Sham
1.4. La fonctionnelle d’échange-corrélation
1.4.1 L’approximation de la densité locale LDA
1.4.2 L’approximation du gradient généralisé GGA
1.5 Résolution des équations de Kohn-Sham
1.6 La méthode des ondes planes augmentées linéarisée (FP-LAPW)
1.6.1 Méthode des ondes planes augmentées APW
1.6.2 Méthode des ondes planes augmentées linéarisées LAPW
1.7 Les rôles des énergies de linéarisations E
1.8 Développement en orbitales locales
1.8.1 Le concept de la méthode (FP-LAPW)
1.9 Le code Wien2k
1.10 Conclusion
Chapitre III: Résultats et discussions
1. Introduction
2. Présentation des matériaux
2.1. Propriétés cristallographiques
2.2. Propriétés électriques et thermiques
3. Détail de calcul
4. Propriété optique
4.1. La fonction diélectrique
4.2. L’indice de réfraction et le coefficient d’extinction
4.3. coefficient d’absorption et la réflectivité
5. l’opérateur Scissor
6. Description de la correction de Scissor
7. Propriété optique
7.1. La fonction diélectrique
7.2. L’indice de réfraction et le coefficient d’extinction
7.3. coefficient d’absorption et la réflectivité
8. conclusion
Conclusion générale
Références bibliographiques
1. Introduction
2. Conducteurs-isolants-semi-conducteurs
3. différents types de semi conducteurs
3.1. semi conducteur intrinséque
3.2. Les semi-conducteurs extrinsèques
3.2.1. Dopage de type n ou donneur
3.2.2. Dopage de type p ou accepteur
4. Les propriétés optiques
4.1. Le processus d’absorption
4.1.1. L’absorption dans un semi-conducteur gap direct
4.1.2. L’absorption dans un semi-conducteur gap indirect
4.2. Le coefficient d’absorption
4.2.1. Les semi-conducteurs à gap direct
4.2.2. Les semi-conducteurs à gap indirect
4.3. Le processus d’émission
4.3.1. Conservation de l’énergie
4.3.2. Conservation de la quantité de mouvement
4.4. L’indice de réfraction
5. Applications des semi-conducteurs
5.1. Les lasers
5.1.1 Définition
5.1.2 Caractéristique de la lumière laser
5.1.3 Les applications de lasers
5.1.4 Structure de la diode bleue à base de GaN
5. Les cellules photovoltaïques
5.1. Définition phénomène photovoltaïque PV
5.2. Le fonctionnement d’une cellule photovoltaïque
5.3. Les types de cellules photovoltaïques
5.4. Une cellule de CdTe
5.5. Les Avantages de la cellule solaire CdTe
6. Les Détecteurs infrarouges
6.1. Le rayonnement infrarouge
6.2. Les types des détecteurs IR
7.2.1.Les détecteurs thermiques
7.2.2.Les détecteurs quantiques
7.3. Les Propriétés fondamentales de HgCdTe
Chapitre II: Méthodes de calcul
1. La théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)
1.1. Approximation de Born-Oppenheimer
1.2. Théorème de Hohenberg et Kohn
1.3. Equation de Kohn et Sham
1.4. La fonctionnelle d’échange-corrélation
1.4.1 L’approximation de la densité locale LDA
1.4.2 L’approximation du gradient généralisé GGA
1.5 Résolution des équations de Kohn-Sham
1.6 La méthode des ondes planes augmentées linéarisée (FP-LAPW)
1.6.1 Méthode des ondes planes augmentées APW
1.6.2 Méthode des ondes planes augmentées linéarisées LAPW
1.7 Les rôles des énergies de linéarisations E
1.8 Développement en orbitales locales
1.8.1 Le concept de la méthode (FP-LAPW)
1.9 Le code Wien2k
1.10 Conclusion
Chapitre III: Résultats et discussions
1. Introduction
2. Présentation des matériaux
2.1. Propriétés cristallographiques
2.2. Propriétés électriques et thermiques
3. Détail de calcul
4. Propriété optique
4.1. La fonction diélectrique
4.2. L’indice de réfraction et le coefficient d’extinction
4.3. coefficient d’absorption et la réflectivité
5. l’opérateur Scissor
6. Description de la correction de Scissor
7. Propriété optique
7.1. La fonction diélectrique
7.2. L’indice de réfraction et le coefficient d’extinction
7.3. coefficient d’absorption et la réflectivité
8. conclusion
Conclusion générale
Références bibliographiques
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