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Master

Le niveau
Etude ab-initio de la Structure électronique de L’alliage ternaire à base de Plomb PbSx Se1-x

Titre
Génie des Matériaux

SPECIALITE

Page de garde:

Etude ab-initio de la Structure électronique de L'alliage ternaire à base de Plomb PbSx Se1-x

Sommaire:

Introduction générale Chapitre I : Généralités sur les semi-conducteurs I.1 Semi-conducteurs I.1.1 Structures cristallines I.1.2 Bandes d’énergie 1.2 Semi-conducteurs intrinsèques 1.3 Semi-conducteurs extrinsèques 1.3.1 Semi-conducteurs de type P I.3.2 Semi-conducteurs de type N 1.4 Courant dans les semi-conducteurs 1.5 Coefficient d’absorption 1.5.1 Absorption bande-à-bande 1.5.2 Absorption par les porteurs libres I.5.3 Génération optique des porteurs 1.6 Recombinaison 1.6.1 Recombinaison en volume a. Recombinaison en volume de type RSH b. Recombinaison en volume de type radiative c. Recombinaison en volume type Auger 1.6.2 Recombinaison en surface I.7. Les Semi-conducteurs IV-VI I.7.1. Définition I.7.2. Propriétés de nanoparticules semi-conducteurs IV-VI I.7.2.1. Généralités I.7.3. La structure cristalline I.7.3.1.Première zone de Brillouin I.7.3.2. Les points de haute symétrie I.7.3.3. Les lignes de haute symétrie I.7.4. Notion de bandes d’énergie I.7.5. Structure de bande 1.7.5.1. Gap direct et gap indirect I.7.5.2. Transitions inter bandes I.7.6. Propriétés électroniques I.7.6.1. Effet du confinement quantique des porteurs sur la densité d’états Chapitre II: Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT) II. Problématique II.1. L’équation de Schrödinger II.2. Approximation de Born-Oppenheimer II.3. Approximation de Hartree II.4. Approximation de Hartree-Fock II.5. Théorie de la Fonctionnelle de la Densité II.5.1. Introduction II.5.2. Etat fondamental II.5.3. La DFT en tant que théorie à N corps II.6. Théorèmes de Hohenberg et Kohn II.6.1. Premier théorème de Hohenberg et Kohn II.6.2. Deuxième théorème de Hohenberg et Kohn II.7. Les équations de Kohn et Sham II.7.1 Analyse du potentiel d’échange-corrélation Vxc(r) II.7.2 Approximations physiques pour le calcul de Vxc(r) II.8 Les approximations utilisées en DFT II.8.1 L’approximation de la densité locale LDA II.8.2 L’approximation du gradient généralisé GGA II.9 Résolution itérative des équations de Kohn-Sham Chapitre III: La méthode de calcul FP-LMTO III.1. Introduction III.2. L’approximation Muffin-Tin (MT) III.3. Instruction de base III.3.1. Fonction de base III.4. Sphères muffin-tin III.4.1. Transformée de Fourier de la Pseudo LMTOS III.5. Fonctions lisses de Hankel de base « Smooth Hankel functions>>> III.5.1. Propriétés de base III.5.2. Formalisme des fonctions de Hankel lissées III.5.3. Les avantages des fonctions enveloppe lisses de Hankel III .6. Augmentation dans la méthode III .7. Matrices du chevauchement et Hamiltonien (partie-MD) III.8. La contribution d’échange et de corrélation III .9. Les fonctions d’ondes III.10. Calcul de la densité de charge III.10.1. Densité du cœur III.11. Harmoniques sphériques III.12. Le cycle auto-cohérent III.13. Avantages et inconvénients de la méthode LMTO III.14. Augmentation LAPW et LMTO III.15. Le code de calcul Mstudio Mindlab Chapitre IV Résultats et discussions IV.1. Introduction IV.2. Les composés binaires IV.2.1. Les propriétés structurales IV.2.2. Les propriétés électroniques IV.2.2.1. La structure de bande IV.2.2.2. La densité d’état IV.3. Les alliages ternaires PbSxSe1-x IV.3.1. Les propriétés structurales IV.3.2. Structure de bande électronique IV.4. Conclusion Conclusion générale

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